◇
槽栅型源场板高电子迁移率器件及其制作方法
200810232513.x
槽栅型源-漏复合场板异质结场效应晶体管及其制作方法
200810232526.7
绝缘栅型栅-漏复合场板功率器件
200810232527.1
绝缘栅型源-漏复合场板高电子迁移率晶体管及其制作方法
200810232528.6
凹槽绝缘栅型源-漏复合场板高电子迁移率晶体管
200810232529.0
200810232530.3
Γ栅异质结场效应晶体管及其制作方法
200810232531.8
凹槽Γ栅高电子迁移率晶体管及其制作方法
200810232534.1
凹槽绝缘交叠栅异质结场效应晶体管
200810232537.5
槽栅型栅-漏复合场板高电子迁移率晶体管
200810232525.2
基于源场板和漏场板的复合场板异质结场效应晶体管
200810232524.8
凹槽绝缘栅型复合源场板的异质结场效应晶体管
200810232521.4
源场板高电子迁移率晶体管滤波方法
200810232547.9
MOCVD系统控制软件V1.0
2004RS5972
随机控制系统控制软件
2003RS7605
MOCVD自动温度控制软件
软件著作权
多片式MOCVD自动控制软件
© 2013-2024 西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点实验室 版权所有地 址：陕西省西安市西沣路兴隆段266号E_mail：nercwbs@romani.cn邮 编：710126Design & Support 技术支持：信息网络技术中心 西安聚力
