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授权专利
部分国家发明专利(2)
作者:  文章来源:  发布时间:2011-12-16  阅读次数:

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先刻槽自对准槽栅CMOS器件制方法

00114824. 9

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后刻槽自对准槽栅CMOS器件制造方法

00114822. 2

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单面抛光衬底外延薄膜厚度和光学参数的测量方法

200510042863.6

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GaAs基材料上原位淀积高介电常数Al2O3和金属膜的方法

200510096232.2

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GaN基发光二极管表面粗化的处理方法

200710199280.3

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集成电路功能成品率估计方法

200710018858.0

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用于片上长线互连的差分接口电路

200810018339.9

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一种AlGaN/GaN HEMT器件的隔离方法

200810017836.7

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一种新型增强型AlGaN/GaN HEMT器件的实现方法

200810017835.2

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GaN多层量子点光电材料的制作方法

200810150272.4

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AlGaN/GaN MISHEMT器件的制备方法

200810150647.4

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AlGaN材料表面淀积Al2O3界面过滤层的抑制方法

200810150645.8

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电磁加热装置

200810232210.8

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绝缘栅型源场板异质结场效应晶体管

200810232512.5

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凹槽绝缘栅型复合栅场板高电子迁移率器件

200810232518.2

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